Sony TA−N7. 3台目修理記録
同時修理品 TA−E7          2019/12/14持込    2020/2/14完成
A. 修理前の状況
  • 片側音出ない。


B. 原因
  • 前回修理でヒューズ抵抗を普通の抵抗(酸金)に置き換えた為に、L側終段V−FET(縦型電解トランジスター)焼損
    他各部経年劣化。
C. 修理状況
D. 使用部品
  • 終段V−FET(縦型電解効果トランジスター)          6個、TA−N7. 4台目より。
    TR(トランジスター)                         12個
    バイアス/バランス半固定VR                   4個。
    フューズ入り抵抗                          30個。
    電解コンデンサー                          22個 。
    フイルムコンデンサー                        6個。
    テフロン絶縁RCA端子                   4個。
    3Pインレット                      1個、FURUTECH製FURUTECH FI-10(R) ロジウムメッキ。
    SP接続端子                        2組4個。
    ヒューズ                            4本。
    リレー                             3個


T. ドライブTR(トランジスター) Sony 2SA835 を測定。

E. 調整・測定

F. 修理費    120,000円  オーバーホール修理。 V−FET入手費用別途。

Y. ユーザー宅の設置状況


S. Sony TA−N7 の仕様(マニアル・カタログより)

A. 修理前の状況。 画像をクリックすると、大きく(横幅2050ドット)表示されます。
A11. 点検中 前から見る
A12. 点検中 前右から見る
A13. 点検中 後から見る
A14. 点検中 後左から見る
A15. 点検中 上から見る
A16. 点検中 シールドを取り、上から見る
A21. 点検中 下前から見る
A22. 点検中 下前左から見る
A23. 点検中 下後から見る
A24. 点検中 下後右から見る
A25. 点検中 下から見る。
A26. 点検中 下から見る。 L側音出ずの修理票、1985/7/8.
A27. 点検中 下蓋を取り、下から見る。
A28. 点検中 下蓋を取り、下から見る。 L側AMP基板固定ビスの締め不十分?
A31. 点検中 電源コード。
A32. 点検中 電源コードを取り、3Pインレット取り付け可能。
A41. 点検中 入力RCA端子。
A42. 点検中 入力RCA端子。 テフロン絶縁製に交換可能。
C. 修理状況。 画像をクリックすると、大きく(横幅2050ドット)表示されます。
C0. 修理中 前パネルを倒し、修理中。
C11. 修理前 R側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)ブロック
C12. 修理後 R側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)ブロック
C21. 修理前 R側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板裏
C22. 修理(半田補正)後 R側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板裏 半田を全部やり直す。
C23. 完成R側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板裏  洗浄後防湿材を塗る
C24. 修理中 R側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板。 ヒューズ抵抗6本交換。
C25. 修理中 R側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板裏。
C31. 修理前 R側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板2裏
C32. 修理(半田補正)後 R側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板2裏 半田を全部やり直す
C33. 完成R側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板2裏  洗浄後防湿材を塗る
C34. 修理前 R側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)ブロックラッピング。
C35. 修理後 R側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)ブロックラッピング。半田を染み込ませる。
C41. 修理前 L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)ブロック
C412. 修理中 L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)、2個不良。
C42. 修理後 L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)ブロック。 4台目から全て移動する。
C51. 修理前 L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板裏
C52. 修理(半田補正)後 L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板裏 半田を全部やり直す。
C53. 完成L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板裏  洗浄後防湿材を塗る
C54. 修理中 L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板。 ヒューズ抵抗6本交換。
C55. 修理中 L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板。 ヒューズ抵抗6本交換。
C61. 修理前 L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板2
C612. 修理前 L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板2。出力TR(トランジスター)2個不良。
C613. 修理後 L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板2。
C62. 修理前 L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板2裏
C63. 修理(半田補正)後 L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板2裏 半田を全部やり直す
C64. 完成L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)基板2裏  洗浄後防湿材を塗る
C65. 修理前 L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)ブロックラッピング。
C66. 修理後 L側終段V-FET(縦型電解効果トランジスター)ブロックラッピング。半田を染み込ませる。
C71. 修理前 R側アンプ基板
C72. 修理後 R側アンプ基板。 リレー1個、TR(トランジスター)4個、半固定VR2個、電解コンデンサー10個交換。
C73. 修理前 R側アンプ基板ラッピング。
C74. 修理後 R側アンプ基板ラッピング。半田を染み込ませる。
C75. 修理前 R側アンプ基板ラッピング2。
C76. 修理後 R側アンプ基板ラッピング2。半田を染み込ませる。
C77. 修理前 R側アンプ基板裏
C78. 修理(半田補正)後 R側アンプ基板裏 半田を全部やり直し、洗浄後。
C79. 完成R側アンプ基板裏  防湿材を塗る
C81. 修理前 L側アンプ基板
C82. 修理後 L側アンプ基板。 リレー1個、TR(トランジスター)4個、半固定VR2個、電解コンデンサー10個交換。
C83. 修理前 L側アンプ基板ラッピング。
C84. 修理後 L側アンプ基板ラッピング。半田を染み込ませる。
C85. 修理前 L側アンプ基板ラッピング2。
C86. 修理後 R側アンプ基板ラッピング2。半田を染み込ませる。
C87. 修理前 L側アンプ基板裏
C88. 修理(半田補正)後 L側アンプ基板裏 半田を全部やり直す
C89. 完成L側アンプ基板裏  洗浄後防湿材を塗る
C91. 修理前 電源ブロック電解コンデンサー下。
C92. 修理後 電源ブロック電解コンデンサー下。
          フイルムコンデンサー4個追加。終段V−FET(縦型電解効果トランジスター)保護ヒューズ4本挿入。
CA1. 修理前 電源整流基板
CA2. 修理後 電源整流基板。 電解コンデンサー4個交換、 フイルムコンデンサー2個追加。
CA3. 修理前 電源整流基板裏
CA4. 修理(半田補正)後 電源整流基板裏 半田を全部やり直す
CA5. 完成電源整流基板裏  洗浄後防湿材を塗る
CB1. 修理前 突入電流抑制回路基板
CB2. 修理後 突入電流抑制回路基板。 リレー1個交換。
CB3. 修理前 突入電流抑制回路基板裏
CB4. 修理(半田補正)後 突入電流抑制回路基板裏 半田を全部やり直す
CB5. 完成突入電流抑制回路基板裏  洗浄後防湿材を塗る
CC1. 修理前 電源コード。
CC2. 修理中 3Pインレット取り付け穴加工。
CC3. 修理中 3Pインレット取り付け穴加工。
CC4. 修理後 電源コードを取り、3Pインレット取り付け。  FURUTECH FI-10(R)ロジウムメッキ使用。
CC5. 修理後 3Pインレット裏の配線。 アースはしっかりと取る。
CD1. 修理前 RCA端子
CD2. 修理(交換)後 RCA端子
CE. 交換部品
CF1. 修理後 下から見る
CF2. 修理後 下から見る
T. ドライブTR(トランジスター) Sony 2SA835 を測定。
      このTR(トランジスター)は現在の亥製品と足の並びが異なり、かつ放熱器付きなので、交換しにくい
T1. 半導体アナライザ DCA75 Peak Electronic Design Limited. で測定。 hFE=81で問題無。
T2. Sanwa AT45 で測定。 hFE=5で使用不可。
E. 調整・測定。 画像をクリックすると、大きく(横幅2050ドット)表示されます。
E0. 出力・歪み率測定・調整
    「見方」。
   上段中 右側SP出力を「Audio Analyzer Panasonic VP−7723B」により測定。
         表示LED、 左端=メモリーNo、 中左=周波数測定、 中右=出力電圧測定、 右端=歪み率測定。
   上段右端 VP−7723Bの基本波除去出力を「owon SDS8202(200MHZ)」で「FFT分析」表示。
   下段中 左側SP出力を「Audio Analyzer Panasonic VP−7723B」により測定。
         表示LED、 左端=メモリーNo、 中左=周波数測定、 中右=出力電圧測定、 右端=歪み率測定。
   下段右端 VP−7723Bの基本波除去出力を「owon SDS6062(200MHZ)」で「FFT分析」表示。
   下段左端 オーディオ発振器 VP−7201A より50Hz〜100kHzの信号を出し(歪み率=約0.003%)、
ATT+分配器を通し、AMPに入力。
   よって、ダイアル設定出力レベルより低くなります。測定機器の仕様や整備の様子はこちら、「VP−7723B
VP−7201A」。 FFT画面の見方はこちら。
E1. 50Hz入力、R側SP出力電圧29V=105W出力、 0.00722%歪み。
            L側SP出力電圧29V=105W出力、 0.0073%歪み。
             「FFT分析」のオシロのカーソル周波数、左=250Hz、右=1kHz。
E2. 100Hz入力、R側SP出力電圧29V=105W出力、 0.00753%歪み。
             L側SP出力電圧29V=105W出力、 0.00737%歪み。
              「FFT分析」のオシロのカーソル周波数、左=250Hz、右=1kHz。
E3. 500Hz入力、R側SP出力電圧29V=105W出力、 0.0139%歪み。
             L側SP出力電圧29V=105W出力、 0.0137%歪み。
              「FFT分析」のオシロのカーソル周波数、左=2.5kHz、右=10kHz。
E4. 1kHz入力、R側SP出力電圧29V=105W出力、 0.0216%歪み。
            L側SP出力電圧29V=105W出力、 0.0216%歪み。
             「FFT分析」のオシロのカーソル周波数、左=2.5kHz、右=10kHz。
E5. 5kHz入力、R側SP出力電圧29V=105W出力、 0.0568%歪み。
            L側SP出力電圧29V=105W出力、 0.0573%歪み。
             「FFT分析」のオシロのカーソル周波数、左=2.5kHz、右=10kHz。
E6. 10kHz入力、R側SP出力電圧29V=105W出力、 0.0572%歪み。
             L側SP出力電圧29V=105W出力、 0.0577%歪み。
              「FFT分析」のオシロのカーソル周波数、左=25kHz、右=100kHz。
E7. 50kHz入力、R側SP出力電圧28V= 98W出力、 0.0301%歪み。
             L側SP出力電圧28V= 98W出力、 0.0304%歪み。
              「FFT分析」のオシロのカーソル周波数、左=100kHz、右=500kHz。
E8. フルパワーなので、24V高速フアンが全回転でクーリング。
EB. 完成  24時間エージング。右は THORENS TD125U.2台目
Y. ユーザー宅の設置状況。 画像をクリックすると、大きく(横幅2050ドット)表示されます。
Y1. 設置状況、 正面から見る。
S. Sony TA−N7 の仕様(マニアル・カタログより)
型式 DCパワーアンプ TA−N7
実効出力 100W+100W(8Ω負荷,両チャンネル駆動時に高調波ひずみ率0.01%で
         20Hz〜20kHzの帯域内で得られるRMS出力)
出力帯域幅 5Hz〜35kHz(実効出力−3dB高調波ひずみ率0.01% IHF)
高調波歪率 実効出力時=0.01%(20Hz〜20kHz),0.05%(5Hz〜50kHz)
10W出力時=0.008%(20Hz〜20kHz),0.02%(5Hz〜50kHz)
1W出力時=0.008%(20Hz〜20kHz),0.02%(5Hz〜50kHz)
混変調歪率 実効出力時=0.01%
10W出力(等価正弦波出力)時=0.008%
1W出力(等価正弦波出力)時=0.008%
周波数特性 Direct端子:DC〜100kHz +0 -1dB
C.Coupled端子:6Hz〜100kHz +0 1dB
残留雑音 0.024mV(8Ω Aネットワーク)
SN比 120dB(入力ショート Aネットワーク)
ダンピングファクター 100(1kHz、8Ω)
入力端子 DIRECT 及び C.COUPLE(カットオフ周波数3Hz,遮断特性6dB/oct
入力感度/入力インピーダンス 1.3V(実効出力100Wを得るに要する入力電圧)/50kΩ
電源 100V 50/60Hz
消費電力 215W
外形寸法 幅430×高さ170×奥行335mm(最大突出部寸法,端数切上げ)
重量 21kg(本体のみ)
使用半導体 FET22石(V-FET12石を含む)
トランジスタ62石
ダイオード34個
価格 16万円(1976年当時)
               ta-n7_32q
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